交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN200810071782.2
交易方式： 完全转让
联系人： 中国科学院海西研究院
所在地：福建福州市
本发明涉及激光晶体掺钕钨酸锂钡钆及其制备方法和用途。采用30~60at%Li2WO4为助熔剂，降温速率为0.5~2℃/天，转速为5~30转/分钟，生长出了高质量、较大尺寸晶体。该晶体属单斜晶系，具有C2/c空间群结构。Nd3+:Li3Ba2Gd3(WO4)8晶体的主吸收峰在804nm，其半峰宽为19nm，吸收跃迁截面为5.37×10-20cm2，适合于采用AsGaAl半导体激光来进行泵浦；在850nm-1400nm处有一个非常宽的发射带，其中发射峰1064nm的发射跃迁截面为12.08×10-20cm2，荧光寿命为0.153ms，易于产生波长为1064nm的激光输出。
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