交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN200810071780.3
交易方式： 完全转让
联系人： 中国科学院海西研究院
所在地：福建福州市
本发明涉及一种掺钕钨酸镧铯激光晶体及其制备方法和用途。采用熔盐提拉法，在1010℃左右，以10~30转/分钟的晶体转速，0.2~0.7毫米/小时的拉速，生长出了高质量、较大尺寸的Nd3+:CsLa(WO4)2晶体。该晶体的主吸收峰在804nm，半峰宽(FWHM)为9nm，吸收截面为9.15×10-20cm2，适合于采用AsGaAl半导体激光来泵浦。在850nm-1400nm波段有三个非常宽的发射带，在1060nm处发射跃迁截面为15.4×10-20cm2，荧光寿命为210μs。该晶体是一种新型的激光晶体，可产生1060nm左右波长的激光输出。
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