交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN200810071777.1
交易方式： 完全转让
联系人： 中国科学院海西研究院
所在地：福建福州市
本发明涉及纳米材料技术领域。该单晶片盐a-b平面生长，尺寸为近100nm，厚度为c-轴方向，大小约为1个晶胞长度。单晶片表面清洁，无须其它衬底生长且可以孤立稳定地存在。单层β-Ni(OH)2二维纳米单晶片采用水热方法制备。将可溶性镍盐溶于无水乙醇中，然后加入强碱溶液，搅拌并让混合溶液在80~200℃反应，冷却后洗涤并干燥。
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