交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN200810071336.1
交易方式： 完全转让
联系人： 中国科学院海西研究院
所在地：福建福州市
本发明涉及一种碳酸氧化镧基纳米荧光粉体及其制备方法。本发明采用前驱体热解的工艺步骤，热解温度范围为400-750℃。本发明中，掺杂稀土离子部分取代La2O2CO3中的La离子，掺杂后碳酸氧化纳镧基纳米荧光粉体的通式可以表示为：(La1-xREx)2O2CO3，RE可选用Dy3+或Er3+或Nd3+或Ho3+或Yb3+或Tm3+或Tb3+或Eu3+或Sm3+或Pr3+中的一种，x表示掺杂离子的摩尔量，0≤x≤0.2。该纳米荧光粉体，颗粒细小，具有片状形貌，薄片厚度大部分在10-50nm范围内。本发明制备的碳酸氧化镧基纳米荧光粉体可应用于显示、照明、防伪、光电器件等方面及其相关领域中的用途。
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