交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN200710009975.0
交易方式： 完全转让
联系人： 中国科学院海西研究院
所在地：福建福州市
双掺镱钠离子钼酸锶激光晶体及其制备方法，涉及人工晶体领域。采用提拉法，生长温度1200℃，10~30转/分钟的晶体转速，0.1~0.5毫米/小时的拉速，生长出了高光学质量、较大尺寸的Na+/Yb3+∶SrMoO4晶体。该晶体属四方晶系，空间群为I4(1)/a，光谱分析表明，该晶体具有宽的吸收和发射线宽，适合于采用LD泵浦，可作为可调谐和飞秒脉冲激光晶体，产生1020nm左右波长的激光输出。
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