交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN200610091468.1
交易方式： 完全转让
联系人： 中国科学院海西研究院
所在地：福建福州市
掺钕钨酸锂镧钡激光晶体及其制备方法和用途，涉及人工晶体领域。采用提拉法(Czochralski方法)生长，生长条件为：生长温度1410℃，晶体转速15~20转/分钟，拉速1.5~3毫米/小时。该晶体属于立方晶系，空间群为Fm3m，单胞参数为a=8.059，Z=4，单胞体积为V=523.413。该晶体是一种新型的激光晶体，可产生1.06μm左右波长的激光输出，并有望获得实际应用。
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