交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：200810070671.X
交易方式： 完全转让 许可转让 完全转让
联系人： 厦门大学
所在地：福建厦门市
项目简介：
一种Ｓｉ基微纳发光材料的制备方法，涉及一种Ｓｉ基微纳发光材料，尤其是涉及一种利用薄膜外延技术与电化学腐蚀相结合来制备多层Ｓｉ基微纳发光材料的方法。提供一种具有三维量子限制的多层异质，实现室温高效发光的Ｓｉ基微纳发光材料的制备方法。在硅衬底上外延生长Ｓｉ／Ｓｉ↓［１－ｘ］Ｇｅ↓［ｘ］（０＜ｘ＜１）或Ｓｉ↓［ｍ］／Ｇｅ↓［ｎ］多层薄膜材料（其中ｍ，ｎ表示对应材料的原子层数，ｍ≤３０，ｎ≤１５）；在生长后的样品背面溅射金属电极；用腐蚀溶液对薄膜材料进行电化学腐蚀；腐蚀后的样品经冲洗，烘氮气吹干或烘干，即得目标产物。
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