交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：200810070747.9
交易方式： 完全转让 许可转让 完全转让
联系人： 厦门大学
所在地：福建厦门市
项目简介：
多晶硅太阳能电池织构层的制备方法，涉及一种太阳能电池，尤其是涉及一种利用激光全息法并结合湿法刻蚀方法的多晶硅太阳能电池织构减反层制造工艺。提供一种快速制作大面积周期性微结构、成本低廉、减反效果良好的多晶硅太阳能电池织构层的制备方法。多晶硅硅片的预处理；在预处理后的多晶硅硅片表面的光刻胶材料上进行全息记录，制作二维周期性微结构；以光刻胶为结构模版，采用酸性腐蚀液将结构制作到硅材料中。
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