交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：200710009898.9
交易方式： 完全转让 许可转让
联系人： 厦门大学
所在地：福建厦门市
项目简介：
钴钒超高密度垂直磁记录介质及其制备方法，涉及一种磁记录介质。提供一种具有高的磁晶各向异性能、良好的垂直磁记录特性和优异的化学稳定性，能满足垂直磁记录介质所需的低噪音和高热稳定性的要求，可用于高密度垂直磁记录的钴钒超高密度垂直磁记录介质及其制备方法。为ＨＣＰ结构的多晶组织，钒原子百分比１３％～２４％，厚度２００～６００ｎｍ。将清洗好的玻璃基片装入溅射室，装钴靶，在钴靶上放钒片；对溅射室抽气至本底真空优于５×１０↑［－４］Ｐａ；加热溅射室，温度在２００～３００℃；通入Ａｒ气，气压保持０．６～０．７Ｐａ，预溅射至少１０ｍｉｎ，清洁靶面，最后溅射沉积２０～６０ｍｉｎ。
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