交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：200610122340.7
交易方式： 完全转让 许可转让 完全转让
联系人： 厦门大学
所在地：福建厦门市
项目简介：
一种纳米一氧化钴晶面可控生长的方法，涉及一种纳米一氧化钴，提供一种用于实现一氧化钴纳米晶体的晶面可控性生长的方法。其步骤为：将三辛胺和油酸按比例混合为淡黄色透明离子液体；将钴的含氧酸盐加入步骤１配制的透明离子液体中，在２７０～４００℃下恒温后冷却；取下层棕色沉淀用乙醇反复清洗至少５次，即得最后目标产物。通过调节离子液体的极性，可有效调节离子液体中的离子与一氧化钴的极性面之间的静电作用的强弱，从而改变极性面表面能的大小，可实现对所需晶面生长的控制。所合成的ＣｏＯ纳米晶体裸露面全部是极性面，热稳定性和化学稳定性以及离子电导率高，分解电压和热容量大。反应过程无污染、反应效率高。装置简单，可操作性强。
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