交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：200810071868.5
交易方式： 完全转让 许可转让 完全转让
联系人： 厦门大学
所在地：福建厦门市
项目简介：
一种碳纳米管阵列的生长方法，涉及一种碳纳米管，尤其是涉及一种低能耗、无炉生长超长碳纳米管阵列的方法。提供一种碳纳米管阵列的生长方法。提供一基底，在该基底上表面依次溅射一层缓冲层和一层催化剂层，得上表面溅射有一层缓冲层和一层催化剂的基底；将上表面溅射有一层缓冲层和一层催化剂的基底放在加热片上；启动微区加热控制电源，直接以加热片为加热装置对基底加热；通入载气和碳源气；关闭微区加热控制器电源，将基底取出，得到样品。
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