交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：200510019926.6
交易方式： 许可转让
联系人： 华中师范大学
所在地：湖北武汉市
一种四方型结构SnO2单分散纳米单晶及合成方法。该SnO2单分散纳米单晶为棒状结构纳米单晶,其直径为5-50纳米,长度为50-0300纳米。其方法是将四氯化锡溶解于盐酸溶液,混合均匀后,放入高压釜中,充空气至压力为0.1-1.5兆帕作为预压,在200-400℃下保温4-8小时,直接得到四方型结构SnO2单分散纳米单晶。本发明的特点是利用溶液的酸度和预压,提高前驱体水解温度,使其在高温下水解,由于此时系统处于高压力下,SnO2分子结晶时沿被限定的晶面,择优生长,且直接长成密度最大的、几乎无缺陷的四方型结构SnO2纳米单晶。该晶体用作锂离子电池负极材料,可有效提高电池的充电效率和使用寿命,用作发光器件和发射装置,可提高其发光效应和性能。
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