[00143729]一种基于硅烷偶联剂低温高致密碳化硅陶瓷制造方法
交易价格：
30 万元
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：200910161249.X
交易方式：
完全转让
联系人：
宁波大学
所在地：浙江宁波市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
一种基于双组份偶联剂低温高致密碳化硅陶瓷的制造方法,其特征在于采用了双组份偶联剂键合的SiC-Al2O3-Y2O3体系,Al2O3和Y2O3为体
系的烧结助剂,偶联剂通过烷氧基的水解在主体SiC表面及助剂Al2O3、Y2O3表面形成牢固的化学键合,同时通过两种偶联剂之间的基团反应在主体碳化
硅表层形成牢固而致密的烧结助剂包覆层;将主要原料碳化硅粉(0.5-5微米)、双组份硅烷偶联剂、Al2O3、Y2O3(<200纳米)烧结助剂
通过分步高能球磨后经过过筛、成型、固化、高温烧结等主要工艺步骤,形成碳化硅陶瓷产品。该方法能在1800℃的低温下通过简单的工艺过程烧结制备得到相对致密度超过98%的致密碳化硅陶瓷,极大地降低了碳化硅生产过程的能源消耗。
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