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[00143400]一种三维SiO2超薄膜及其制备方法和应用

交易价格: 30 万元

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:200910095419.9

交易方式: 完全转让

联系人: 宁波大学

所在地:浙江宁波市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

一种三维SiO2超薄膜及其制备方法和应用,其特征在于它采用三维骨架结构的聚合物整体型模板,然后将 SiO2的前驱物硅酸酯在模板的孔道内原位水解,使水解产生的SiO2在聚合物表面沉积,形成三维连续的超薄膜,然后将聚合物/SiO2复合物在高温下煅 烧,除去聚合物,同时又使SiO2烧结成型,最后剩下目标产物,使该三维SiO2超薄膜的厚度为15~90纳米可控,孔隙率为50%~95%;它可作为催化剂载体,也可用于合成新型的三维超薄膜材料,制备方法条件温和,适合大规模生产制造。

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