交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：201310437339.3
交易方式： 许可转让
联系人： 中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
所在地：江苏苏州市
本发明公开了一种使用射频加热的桶式CVD设备反应室，包括：具有双层管状结构的水冷壁，该水冷壁的内管腔中设有反应室，而内、外管之间至少与该反应室相应的区域内分布有冷却介质容置腔；设于该反应室内的加热基座，且该加热基座上分布有若干凹槽；分布于该加热基座与水冷壁内管之间的整流罩；至少绕设在该水冷壁外壁上与该反应室相应区域内的感应线圈。本发明通过采用桶式结构的反应室，可以满足多片晶片同时生长，而通过采用射频感应加热，同时有直接热传导和辐射加热，提高了晶片温度分布的均匀性，尤其是对于大尺寸的晶片来说，加热不受反应室直径大小的限制，加热速度快、效率高、温度高、加热状态稳定，适合在大尺寸的高温CVD反应室中使用。
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