交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：201310471274.4
交易方式： 许可转让
联系人： 中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
所在地：江苏苏州市
本发明提供的相变存储器接触电极的制备方法和相变存储器接触电极，在沉积有金属催化剂层的加热电极表面沉积石墨烯层，有效利用了石墨烯的高平整度，而且仅在覆盖有催化剂的加热电极表面进行沉积，无需进一步的平坦化工艺，工艺简单；同时，石墨烯具有紧密的碳原子排列，其中的层内碳原子之间按照sp2杂化的共价键结合，具有较强的作用力，可极大地抑制相变存储材料原子扩散入加热电极之中，从而保证了相变存储材料与加热电极的组分与物性的一致；另外，石墨烯厚度可控制在0.3～10nm，且具有极高的导热系数，保证了加热电极效率，能很好地满足相变存储器的应用需求。
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