交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：201310223613.7
交易方式： 许可转让
联系人： 中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
所在地：江苏苏州市
本发明公开了一种GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结级联太阳电池，包括GaAs衬底以及GaInP/GaAs双结电池和InGaAsP/InGaAs双结电池，所述GaAs衬底具有双面生长结构；所述GaAs衬底的第一面设置有GaInP/GaAs双结电池，第二面设置有一渐变过渡层，并通过该渐变过渡层与所述InGaAsP/InGaAs双结电池级联。该四结级联太阳电池带隙组合为1。90eV，1。42eV，～1。03eV，0。73eV，各个子电池的电流失配小，减小了光电转换过程中的热能损失，提高了电池效率。
Copyright © 2018 宁夏回族自治区生产力促进中心 版权所有 宁ICP备11000235号-3 宁公网安备 64010402000776号
联系电话：0951-5064080 网站访问量： 网站在线人数：0 技术支持：科易网 
微信公众号
