交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：201310169136.0
交易方式： 许可转让
联系人： 中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
所在地：江苏苏州市
本发明涉及一种多孔GaN材料的制备方法，该方法包括以下步骤：步骤S1、将K2S2O8溶解于去离子水或纯净水中，配制浓度为0.0001mol/L-2mol/L的K2S2O8溶液；步骤S2、在K2S2O8溶液中加入NaOH或KOH，配制pH值大于7的混合溶液；步骤S3、将GaN材料置于混合溶液中，用紫外光源照射GaN材料，获得多孔GaN材料。本发明利用极其廉价的光化学技术在GaN材料表面上产生纳米级孔洞，通过锁相放大器等微小电信号测试设备可以将GaN材料电阻率的微小变化检测出来，从而发展高灵敏度的气敏传感器。
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