交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：201310163267.8
交易方式： 许可转让
联系人： 中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
所在地：江苏苏州市
本发明涉及一种离子敏传感器，包括上下层叠氧化硅层和硅衬底；间隔设置于所述氧化硅层上的源极、漏极；以及设置于所述源极、漏极之间的氧化硅层表面的石墨烯层，所述石墨烯层分别与所述源极插齿部、漏极插齿部连接；所述石墨烯层表层渗透有金属氧化物颗粒；以及微流控沟道层，架设于包覆有绝缘层的源极插齿部、漏极插齿部上，并与所述石墨烯层配合形成用于容纳待测物的空腔；所述微流控沟道层上还开设有通孔；悬浮栅极，插入所述通孔并伸至所述空腔内。本发明具有类场效应晶体管的结构，实现了高通量、高灵敏度，短响应时间等优点。
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