交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：201310166015.0
交易方式： 许可转让
联系人： 中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
所在地：江苏苏州市
本发明涉及一种三结太阳电池及其制备方法，该电池包括依次连接的P型GaAs衬底、InGaAsN底电池、第一隧道结、GaNAsBi中间电池、第二隧道结、AlGaInP顶电池以及N型GaAs欧姆接触层，其中所述P型GaAs衬底上设有P型电极、所述N型GaAs欧姆接触层上设有N型电极。本发明提出的三结太阳电池及其制备方法解决了目前采用晶格异变、倒置生长等技术存在的材料消耗大、工艺难度大、成本较高的问题。
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