交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：201310114644.9
交易方式： 许可转让
联系人： 中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
所在地：江苏苏州市
本发明提供了一种三结级联太阳电池，包括在GaAs衬底上依次连接的GaNAsBi底电池、第一隧道结、BInGaAs中间电池、第二隧道结以及AlGaInP顶电池，AlGaInP顶电池和GaAs衬底上分别设有电极。本发明还提了一种三结级联太阳电池的制备方法，包括步骤：1）在GaAs衬底上依次生长GaNAsBi底电池、第一隧道结、BInGaAs中间电池、第二隧道结、AlGaInP顶电池以及欧姆接触层；2）分别在所述AlGaInP顶电池和所述GaAs衬底上制备上、下电极，获得目标太阳电池。本发明所有子电池晶格常数与GaAs衬底匹配，降低了生产成本，采用正装生长方法生长、制备工艺简单，提高了电池效率。
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