交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：201310093058.0
交易方式： 许可转让
联系人： 中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
所在地：江苏苏州市
本发明提供一种倒装四结太阳电池及其制备方法，所述电池包括AlGaAs顶电池、第一隧道结、GaAs子电池、第二隧道结、晶格异变缓冲层、InGaAsP子电池、第三隧道结及InGaAs底电池；GaAs子电池和InGaAsP子电池通过晶格异变缓冲层过渡。所述制备方法包括步骤：在一GaAs衬底上生长第一欧姆接触层；在第一欧姆接触层上依次生长AlGaAs顶电池、第一隧道结、GaAs子电池、第二隧道结、晶格异变缓冲层、InGaAsP子电池、第三隧道结、InGaAs底电池及第二欧姆接触层；在第二欧姆接触层上制备第二电极并与一支撑衬底键合；剥离GaAs衬底，并在第一欧姆接触层上制备第一电极，获得目标太阳电池。
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