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[00142302]四结级联太阳能电池及其制备方法

交易价格: 面议

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:201310082880.7

交易方式: 许可转让

联系人: 中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

所在地:江苏苏州市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

  本发明提供一种四结级联太阳能电池,包括依次设置的Ge底电池、第一隧道结、GaNAsBi子电池、第二隧道结、GaAs子电池、第三隧道结、GaInP子电池以及GaAs接触层;Ge底电池包括Ge衬底以及设置在Ge衬底上的Ge底电池的发射区;GaNAsBi子电池与Ge衬底晶格匹配。本发明还提供一种四结级联太阳能电池的制备方法,包括步骤:1)在Ge衬底上扩散形成或生长Ge底电池;2)在Ge底电池表面依次生长第一隧道结、GaNAsBi子电池、第二隧道结、GaAs子电池、第三隧道结、GaInP子电池以及GaAs接触层;3)在GaInP子电池和Ge衬底上分别制备上、下电极,获得目标太阳能电池。

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