[00141946]一种上转换荧光材料及其制备方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：201310088509.1

交易方式： 许可转让

联系人：中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

所在地：江苏苏州市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本发明提供了一种上转换荧光材料，以GaN为基质，Yb3+为敏化剂，其化学组成为Ga1-x-y-zYbyRexSiZN，其中，Re为稀土金属Er、Tm、Ho、Pr、Sm或Dy中的任意一种，0.1%≤x≤2%，x≤y≤5x，0.01%≤z≤0.1%。另外，本发明还提供了一种上转换荧光材料的制备方法。本发明提供的上转换荧光材料，以GaN为基质，有效利用了GaN的热稳定性好、熔点高、易于实现稀土离子掺杂性能，同时，以Yb3+作为敏化剂，提高了上转换的转换效率，使得制备的上转换荧光材料热稳定性好、上转换效率高。

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