交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：201210366188.2
交易方式： 许可转让
联系人： 中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
所在地：江苏苏州市
本发明涉及电子材料制作领域，尤其是指一种金属氧化物薄膜场效应晶体管有源层的制备方法，其步骤包括：A：将由金属盐、粘合剂和有机溶剂形成的前驱体，利用静电纺丝技术将所述前驱体喷射至接收板上；B:将步骤A所述的前驱体置于马弗炉中400～800℃煅烧2～4h。本发明通过电纺丝技术制备的有源层实现低成本、大规模的纳米尺度、高性能场效应晶体管的制作。该制备方法要求的环境很宽松，不需要在手套箱等无水无氧环境下实施，简化了工艺，且制得的有机电子器件具有很强的抗水氧能力，很好地简化了有源层的制作方法，同时改善了有源层的性能，获得高性能的场效应晶体管。
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