交易价格： 面议
类型： 实用新型专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：200720084698.5
交易方式： 许可转让
联系人： 华中科技大学
所在地：湖北武汉市
本实用新型公开了一种适用于射频识别标签芯片的静电保护电路,该电路包括电压比较器电路和电流泻放电路。电压比较器电路包括PMOS管P1,P3和电阻R2,R3,用于检测和比较电压值;电流泻放电路包括NMOS管N1、N2、二极管D1和电阻R1,用于泻放静电脉冲和射频高压。本实用新型减小了输入节点寄生电容,避免了出现高频信号的延时效应,并避免了出现主保护管还没有工作而次保护管就已烧毁的情况,提高了电路的稳定性。此外,本实用新型不仅能实现ESD保护功能还能起到射频限压的作用,仅用一个电路就实现了两种功能,特别适合应用于无源RFID标签芯片。一种适用于射频识别标签芯片的静电保护电路在减少面积降低功耗的同时,还提升了ESD保护电路的保护性能,进一步提高了整个标签芯片的使用寿命。
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