交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：200710051933.3
交易方式： 许可转让
联系人： 华中科技大学
所在地：湖北武汉市
一种测量半导体薄膜材料塞贝克系数和电阻率的装置
本发明公开了一种测量薄膜半导体材料室温下塞贝克系数和电阻率的装置,热电堆与冷、热端导热铜块固定一体,其下部形成空腔,空腔内布置有电位探针。SEEBECK电势检测点和冷、热端热电偶安置在导热铜块的下端;电位探针,检测点、热电偶分别与采集模块相连;参考电阻与转换开关串接,并与检测点相连;恒流源与转换开关相连;转换开关与数据采集模块相连;采集模块与计算机相连,采集的数据通过虚拟仪器软件处理获得检测结果。测试台分为上下两部分,上部分固定测试组件,下部分支撑样品,并有螺杆向上抬升样品,实现样品与各检测点的接触。该装置可以同时进行测定塞贝克系数和电阻率但不破坏薄膜,并且测试过程简单,装置和测试成本较低。
Copyright © 2018 宁夏回族自治区生产力促进中心 版权所有 宁ICP备11000235号-3 宁公网安备 64010402000776号
网站访问量： 网站在线人数：0 技术支持：科易网 
微信公众号
