[00134417]一种PIN型核电池及其制备方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：200910030430.7

交易方式： 完全转让

联系人：中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

所在地：江苏苏州市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本发明公开了一种PIN型核电池及其制备方法，通过两次MOCVD外延和一次HVPE外延的复合外延技术生长获得衬底-n型GaN掺杂层-绝缘层-p型GaN掺杂层结构的PIN器件材料结构，再使用半导体微加工工艺溅射生成对应的接触电极，制备形成基本的电池器件，并将同位素耦合到p型接触电极上，封装制备完成核电池。由于核电池的寿命取决于同位素的半衰期，故而本发明可以灵活使用防护简单的同位素种类(纯β同位素)，大大提高了核电池的能量转换效率和能量密度(能量容积)，延长了核电池的使用寿命，同时也为核废料变废为宝、合理利用创造了有效途径。

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