[00134398]大功率LED多层梯度材料散热通道的构造方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：200810025449.8

交易方式： 完全转让

联系人：中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

所在地：江苏苏州市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

登录后向技术服务商咨询

咨询平台客服试试在线客服吧发布技术需求服务免费

技术详细介绍

本发明提供大功率LED多层梯度材料散热通道的构造方法，其构造步骤为：1)制备GaN基LED芯片：对GaN基LED外延片进行干法刻蚀，形成L型，露出N-GaN层台面；在P-GaN层表面蒸发一层铟锡氧化物电流扩展层，再蒸发P、N电极，再在P、N电极上镀上纯金；2)制备Cu快速热扩散板：先制作L型的Cu板，磁控溅射一层Ti或Cr，作为粘附层；在Ti层上磁控溅射一层AlN，作为绝缘层；再蒸发一层薄金，镀上一层厚纯金；3)采用热压焊进行纯金键合，将LED芯片倒装在Cu快速热扩散板上。本发明采用高热导、热膨胀系数梯度变化的Au-Au-AlN-Ti多层材料构建LED至Cu快速热扩散板之间的散热通道，解决了大功率LED的散热问题，提高了器件的散热能力和稳定性。

成果推荐需求推荐评估专家推荐评估机构推荐

更多>

上海平正评估有限公司

服务分类：资产评估、无形资产评...

进入主页
连城资产评估有限公司

服务分类：资产评估、无形资产评...

进入主页

更多>