[00134337]一种用于释放应力的多孔缓冲层制备方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：200710191884.3

交易方式： 完全转让

联系人：中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

所在地：江苏苏州市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本发明公开了一种属于薄膜制备领域的多孔缓冲层生长方法，其特征在于使用金属合金制备多孔缓冲层，该法包括：利用薄膜沉积设备，在单晶衬底上沉积金属合金薄层，继而形成氮化物多孔掩膜层；在该掩膜层上沉积一层无定型外延材料，通过退火和其它外延手段使得纳米柱只在掩膜层网孔处生长；随后改变生长条件使得纳米柱阵列逐渐合并成平整表面，形成多孔缓冲层；最后在此平整表面上生长出所需厚度的高质量薄膜。该多孔缓冲层合成方法简单，使用该方法制得的薄膜或器件具有缺陷密度小、寿命长、期间性能高等特点。

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