交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 通过中试
专利所属地：中国
专利号：201110239699.3
交易方式： 完全转让
联系人： 上海纳米技术及应用国家工程有限公司
所在地：上海上海市
发明专利名称：
ZnO/Cu/ZnO透明导电薄膜的制备方法
发明专利简介：
本发明公开一种光电材料技术领域的ZnO/Cu/ZnO透明导电薄膜的制备方法，通过在基片上依次进行原子层沉积ZnO薄膜，磁控溅射沉积Cu中间层，原子层沉积ZnO薄膜。利用ZnO良好的光电特性和Cu的低电阻率，加入Cu中间层，形成ZnO/Cu/ZnO的三明治结构。由于Cu的掺入，载流子浓度增加，薄膜的导电性能有了很大的提高，电阻率可低至8.6×10-5Ω·cm，同时可见光透过率高，可达80%以上；且由于原子层沉积为自限制反应，薄膜的均匀性极好。
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