交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 可以量产
专利所属地：中国
专利号：201110436883.7
交易方式： 完全转让
联系人： 上海纳米技术及应用国家工程有限公司
所在地：上海上海市
发明专利名称：
一种高透过率透明导电薄膜及其制备方法
发明专利简介：
本发明公开了一种高透过率透明导电薄膜，其特征在于，所述透明导电薄膜的模系为二氧化锡/氧化锌/二氧化硅/基底材料/二氧化硅，或二氧化硅/二氧化锡/氧化锌/二氧化硅/基底材料/二氧化硅的多层膜结构，主体材料为金属二氧化锡与氧化锌和锡与锌，其中，锡与锌元素两者在二氧化锡/氧化锌复合层中的质量百分含量为75.9％～83.5％，锡与锌元素的质量比为45～51∶55～49，薄膜的厚度为5nm～250nm。本发明公开了一种高透过率透明导电薄膜的制备方法。本发明采用磁控溅射方法沉积的薄膜性能优异，具有良好的导电性和透光性，可广泛用于触摸屏液晶显示屏、电致发光显示、太阳能电池、晶体管等光电技术领域。
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