交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 通过中试
专利所属地：中国
专利号：201110392238.x
交易方式： 完全转让
联系人： 上海纳米技术及应用国家工程有限公司
所在地：上海上海市
专利技术名称：
铜掺杂氧化锡透明导电薄膜及其制备方法
专利技术简介：
本发明公开了一种铜掺杂氧化锡透明导电薄膜，其特征在于，所述导电薄膜由三层薄膜组成，依次为氧化硅、氧化钛、铜掺杂氧化锡层，其中，氧化硅的厚度为6-9纳米，氧化钛的厚度为7.8-16.5纳米，铜掺杂氧化锡的厚度为123.8-548.7纳米，铜在氧化锡层的掺杂质量百分含量为0.8%-3.1%。本发明公开了一种铜掺杂氧化锡透明导电薄膜的制备方法，其特征在于包括如下步骤：选择并清洗基片材料；利用磁控溅射工艺沉积在所述的基片表面沉积扩散阻挡层；利用磁控溅射工艺在扩散阻挡层表面沉积一层过渡层；利用磁控溅射工艺在过渡层表面沉积铜掺杂氧化锡层。本发明薄膜具有良好的导电性和高透明性，可广泛用于太阳能电池、光电等技术领域。
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