交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 可以量产
专利所属地：中国
专利号：201110030298.7
交易方式： 完全转让
联系人： 上海纳米技术及应用国家工程有限公司
所在地：上海上海市
一种光电材料技术领域的原子层沉积制备Al掺杂ZnO透明导电薄膜的方法，通过将基片加热后依次进行多组复合沉积、每组复合沉积由多次ZnO沉积和Al掺杂沉积组成，得到原子层沉积制备的Al掺杂ZnO透明导电薄膜。本发明制备得到的透明导电薄膜均匀性优异；导电性好，电阻率可低至7.2×10-4cm；可见光透过率高，可达90％以上。
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