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[00110819]磁阻效应元件以及搭载该元件的不挥发性磁存储器

交易价格： 面议

类型： 专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：200610108923.4

交易方式： 完全转让

联系人： 东北大学

所在地：辽宁沈阳市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

　　本发明提供高速且耗电极少的不挥发性存储器。在不挥发性存储器上,配备了高输出的隧道磁阻效应元件,应用通过自旋转移力矩的写入方式。隧道磁阻效应元件(1)具有层叠了含有CO、FE和B的体心立方结构的强磁性膜(304)、在(100)取向的岩盐结构的MGO绝缘膜(305)、以及强磁性膜(306)的结构。

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