光刻胶在光刻工艺中用作抗腐蚀涂层材料,是光刻工艺的关键材料,其生产技术复杂,品质有严格的要求。目前,国内光刻胶市场主要由日系的JSR、信越化学、东京应化等公司以及欧美企业所垄断,中国大陆与*水平还有较大差距,其半导体级高端产品国产化率不足1%,难以满足国内企业的用胶需求。半导体级光刻胶的核心是超高纯光刻胶树脂固体单体,但其含有羟基、羧基等金属离子强螯合基团,存在高价金属(如Fe、Cr等)难以深度脱除至20 ppb以下的难题。因此,亟需开展固体单体纯化去除金属杂质技术的研究,打破国外相关大型公司对半导体级光刻胶树脂固体单体生产技术的封锁,完整产业链,实现自主可控和国产化供应。