8英寸碳化硅单晶_宁夏技术市场

8英寸碳化硅单晶

所属分类：新型材料产业

所属单位：浙江大学杭州国际科创中心

联系人：-

联系方式：0951-6087161 /5020588

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成果简介

第三代半导体产业发展的重要基础材料，以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求，在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有重要应用潜力。然而，碳化硅衬底作为成本最高、技术壁垒最高的环节，其产能却远不足以匹配市场需求，碳化硅衬底的革新迫在眉睫。浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院-杭州乾晶半导体联合实验室近期经过系列技术攻关，在大尺寸碳化硅（SiC）单晶生长及其衬底制备方面取得突破，成功生长出厚度达27毫米的8英寸n型碳化硅单晶锭，并加工获得了8英寸碳化硅衬底片，成功跻身8英寸碳化硅俱乐部，该项技术突破有望显著降低碳化硅功率器件的成本，助力半导体碳化硅产业的发展。

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