斯格明子在行业中的需求主要表现在以下三个方面：信息存储、逻辑运算和神经形态计算光学应用。该成果以CeMn2Ge2单晶为载体，基于磁阻效应与霍尔效应的关联性，指出了磁斯格明子等手性磁结构除可引起拓扑霍尔效应外，还可诱导产生拓扑磁电阻效应，并实验证明了拓扑磁电阻效应的存在。该研究展示了拓扑霍尔效应之外的拓扑磁结构诱导的电学效应，为进一步构建斯格明子等手性磁结构在磁场作用下的结构演化理论提供了基础信息，同时也为器件化斯格明子提供了一种新的电学探测手段。该工作发表在应用物理学领域顶级期刊 Applied Physics Review 上，并被APR编辑部选为Featured Article刊发。
这种基于斯格明子的逻辑运算不仅速度快，而且能耗低，有望在未来替代传统的CMOS逻辑电路。
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