X为了获得更好的用户体验,请使用火狐、谷歌、360浏览器极速模式或IE8及以上版本的浏览器
欢迎来到宁夏技术市场,请 登录 | 注册
尊敬的 , 欢迎光临!  [会员中心]  [退出登录]
 常见问题  关于我们
成果
成果 专家 院校 需求
微信公众号
当前位置:首页 > 对接活动 > 找成果 > 详情页

一种阻变层材料、有机忆阻器及其制备方法

所属分类:新型材料产业

所属单位:兰州大学

联系人:-

联系方式:0951-6087161/5020588

所在地:

成果简介

本发明提供一种阻变层材料、有机忆阻器及其制备方法,涉及电子器件领域。该阻变层材料包括:聚乙烯亚胺和氮化硼量子点。该有机忆阻器,包括所述阻变层材料形成的阻变层。本发明提供的阻变层材料包括聚乙烯亚胺(PEI)和氮化硼量子点(BNQDs),将掺杂氮化硼量子点形成的聚乙烯亚胺有机薄膜作为阻变层,形成的有机忆阻器在220℃下测试表现出良好的性能,且在室温下测量时可循环万次以上,表现出良好的循环性能和保持性。本发明提供的阻变层材料在将来的存储器件尤其是柔性存储器件上有非常好的应用价值,使得未来存储和未来计算在极端环境下也能正常工作。

Copyright © 2018    宁夏回族自治区生产力促进中心    版权所有    宁ICP备11000235号-3    宁公网安备 64010402000776号

联系电话:0951-5064080              网站访问量:               网站在线人数:0              技术支持:科易网