半导体基化学镀镍金是集成电路制造工序之一，高品质镀膜是芯片质量的重要保障。现有化学镀工艺存在参数不稳定、产品不合格率高等缺点。本研究以提高产品合格率为目标，研究侵蚀、活化、化学镀镍、化学镀金等镀膜过程工艺，利用电化学工作站、扫描探针显微镜、扫描电子显微镜、电子能谱等进行表征。硅基表面粗化用氢氟酸侵蚀，用硫酸铜代替金离子盐作为硅基表面化学镀镍活化剂，柠檬酸三钠作为镍离子的络合剂，用氨-氯化铵缓冲溶液控制pH值可得到较好镍膜。进一步用柠檬酸三钠作为络合剂、次亚磷酸钠作为还原剂，可以顺利地将金离子沉积在镍膜表面，表面平整，颗粒均匀。用该工艺进行中试，产品不合格率平均2.50%，与原有工艺相比减少约1%。项目所获得的化学镀镍金关键技术方法，为集成电路制造提供强有力的技术支撑，具有重大的基础意义、科学意义和应用意义，必将半导体工业中产生较大的社会效益和经济效益。
微信公众号