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一种GaN薄膜及其制备方法

所属分类:新型材料产业

所属单位:兰州大学

联系人:-

联系方式:0951-6087161/5020588

所在地:

成果简介

本发明涉及一种GaN薄膜及其制备方法。其中GaN薄膜,包括Si衬底和位于Si衬底上图形化的SiO2掩膜层,所述Si衬底的Si{111}晶面上有Si3N4缓冲层,所述SiO2掩膜层和不参与GaN生长的Si3N4缓冲层上有溅射SiO2膜;所述参与GaN生长的Si3N4缓冲层上有GaN插入层,所述GaN插入层上生长有GaN薄膜层。本发明的GaN薄膜,通过在Si图形衬底上外延生长非极性GaN薄膜的方法制得,不仅成本低廉,且性能优良能够广泛地用于器件的制作中。

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