一种基于p-n结光致磁阻传感器的新方法

所属分类：新型材料产业

所属单位：兰州大学

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成果简介

本发明公开了一种基于p‑n结光致磁阻传感器的新方法，属于礠阻传感器的制造技术领域。我们在n型硅基片上正反两面采用离子注入的方法，制备获得了Si(n+)/Si(n)/Si(p+)结构二极管磁传感器。本发明中对铜电极进行溅射处理，不需要设置复杂的结构，能够提高Si(p+)和Si(n+)的离子浓度，使其能够分布均匀，能够提高靶的另一面的磁场强度，保证溅射电压的稳定性。本发明中的传感器可以在无外加电场的情况下，利用光驱动实现较大范围的磁场数值测试，并可以探测外加磁场的方向。本发明中光电效应产生的非对称磁阻不仅无需外加电源，而且还可以识别磁场的方向，更重要的是它可以自然地将传统p‑n结器件的磁电效应和光电效应整合在一起。

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