（1）半导体先进互联金属前驱体材料，不仅是半导体集成电路中金属互联层的重要组成部分，更是推动半导体技术向更高集成度、更小尺寸发展的关键力量。随着半导体技术的不断进步，对互联金属前驱体材料的要求也日益严格，不仅需要材料具备高纯度、高稳定性、低电阻率等优良性能，还要求其能够适应更为复杂的制造工艺和更为严苛的工作环境。
2022年，项目团队基于Mo源产业基础，重点为围绕钨、钴前驱体设计，将特别关注金属配体生长初期，在金属性衬底（TiN、Co、TaN）和SiO2或Si衬底的表面化学吸附、形核位垒的问题。通过团队一年的攻艰设计W、Co金属为基础前驱体结构，获得基线商业钨前驱体、钴前驱体的TALD沉积验证，获得了最优化的生长工艺，得到了符合项目预期的金属钨膜和金属钴膜，同时，完成了三个新合成钴源的ALD沉积验证，获得了最优化的生长工艺，研究了多项工艺关键参数，液态钨源、钴源沉积得到的金属钨膜和金属钴膜符合项目要求，再通过理论计算其在不同衬底的吸附能、脱附能进行理论验证，均满足具有金属表面高选择性的新前驱体，并申请专利CN116987125A、CN117050117A。。