X为了获得更好的用户体验,请使用火狐、谷歌、360浏览器极速模式或IE8及以上版本的浏览器
欢迎来到宁夏技术市场,请 登录 | 注册
尊敬的 , 欢迎光临!  [会员中心]  [退出登录]
 常见问题  关于我们
成果
成果 专家 院校 需求
微信公众号
当前位置:首页 > 对接活动 > 找成果 > 详情页

晶圆级氧化镓外延片

所属分类:新型材料产业

所属单位:厦门大学

联系人:-

联系方式:0951-6087161 /5020588

所在地:

成果简介

第四代半导体,氧化镓,外延片
该技术通过精确控制外延生长工艺,成功在晶圆级基底上生长出高质量的氧化镓(Ga2O3)外延片。氧化镓作为一种新兴的超宽禁带半导体材料,具有高击穿电场、高饱和电子漂移速度和高热导率等优异的物理特性,使其在高功率、高频率、高温以及光电子器件中展现出巨大的应用潜力。厦门大学的这项技术突破,为氧化镓基半导体器件的研制和应用奠定了坚实的材料基础,对于推动新一代电力电子和光电子器件的发展具有重要意义。

Copyright © 2018    宁夏回族自治区生产力促进中心    版权所有    宁ICP备11000235号-3    宁公网安备 64010402000776号

联系电话:0951-5064080              网站访问量:               网站在线人数:0              技术支持:科易网