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一种区分4H-碳化硅表面的方法

所属分类:新型材料产业

所属单位:兰州大学

联系人:-

联系方式:0951-6087161/5020588

所在地:

成果简介

本申请涉及一种区分4H‑碳化硅表面的方法,所述方法首先对需要辨别的4H‑碳化硅(4H‑SiC)样品的两个表面分别标记为A面和B面;然后将4H‑SiC样品进行以KOH为主腐蚀剂的湿法腐蚀过程;再对腐蚀后4H‑SiC样品进行盐酸酸洗;最后用光学显微镜观察4H‑SiC的AB面,根据其各向同性或各向异性的腐蚀行为来确定该表面自由能的大小,从而判定出具有各向异性腐蚀行为的高表面自由能的表面为4H‑SiC样品的Si面,而具有各向同性腐蚀行为的低表面自由能的表面为4H‑SiC样品的C面。本方法对于检测样品的要求低,且无论待测样品是否完好,是否具有缺陷,腐蚀过程中的腐蚀温度和腐蚀时间均较短,结果均可靠;而且采用光学显微镜进行观测,操作简单,成本低。

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