本项目以优良的陶瓷粉体为原料，设计添加多元体系的烧结助剂和分散剂、增塑剂、粘结剂等多种功能性助剂，采用先进的流延成型工艺技术和烧结工艺，制备出高性能氧化铝(Al2O3)、氧化锆(ZrO2)、氧化锆增韧氧化铝(ZTA)、氮化铝(AlN)和氮化硅(Si3N4)电子陶瓷基板。具有高强度、高硬度、耐高温、耐磨损、耐腐蚀以及良好的导热性、较低的介电常数和介质损耗、绝缘性能高、化学稳定性好等特性，广泛应用于LED灯、覆铜板、打印机、IGBT及MOSFET功率模块封装、射频/微波通讯、半导体晶圆加工设备、固体氧化物燃料电池等行业用的大功率电路基板、电子元器件封装陶瓷基板和散热基板等领域。
陶瓷基板厚度在0.25~2.0mm,尺寸最大可至5.5in×7.5in,平整度高(翘曲度≤0.3%),瓷质致密，表面粗糙度小,热震稳定性优良，激光加工性好，加工精度高。AlN电子陶瓷基板的热导率≥170W/(m-k)，抗弯强度≥400MPa；Si3N4电子陶瓷基板的热导率≥80W/(mk)，抗弯强度600MPa。该成果技术成熟度已达到7级。