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价格：面议一种具有巨大磁电阻的HfTe5‑δ晶体及其生长方法

技术类型：发明专利 成熟度：正在研发 转让方式：完全转让,许可转让,技术入股 江苏南京市发布人：南京大学 咨询
价格：面议一种立式氢化物气相外延生长系统

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价格：面议一种Fe掺杂生长GaFeN稀释磁性半导体的方法及其用途

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价格：面议一种钇铁石榴石薄膜的外延生长方法

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价格：面议一种用于高效可见光催化水分解的锌镉氧合金单晶薄膜及其制备

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价格：面议在ZnO单晶衬底上低温生长高质量ZnO薄膜材料的方法

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价格：面议同步生长晶圆级AB堆垛双层石墨烯的制备方法及其设备

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价格：面议一种制备高质量柔性单晶硅纳米线的方法

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价格：面议一种制备GaN薄膜材料的方法

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价格：面议一种多片多源卧式氢化物气相外延生长系统

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价格：面议一种用于半导体材料热壁外延生长系统的加热装置

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价格：面议一种Fe₃N材料的生长方法

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