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价格：面议一种P柱区阶梯掺杂的二维类SJ/RESURFLDMOS器件

技术类型：实用新型专利 成熟度：正在研发 转让方式：完全转让,许可转让,技术入股 江苏南京市发布人：南京邮电大学 咨询
价格：面议一种P柱区阶梯掺杂的二维类SJ/RESURFLDMOS器件及其制造方法

技术类型：发明专利 成熟度：正在研发 转让方式：完全转让,许可转让,技术入股 江苏南京市发布人：南京邮电大学 咨询
价格：面议一种峰值掺杂结合对称线性掺杂结构的碳纳米场效应管

技术类型：发明专利 成熟度：正在研发 转让方式：完全转让,许可转让,技术入股 江苏南京市发布人：南京邮电大学 咨询
价格：面议一种双材料栅线性掺杂的石墨烯场效应管

技术类型：发明专利 成熟度：正在研发 转让方式：完全转让,许可转让,技术入股 江苏南京市发布人：南京邮电大学 咨询
价格：面议一种具有高K绝缘区的横向功率器件

技术类型：发明专利 成熟度：正在研发 转让方式：完全转让,许可转让,技术入股 江苏南京市发布人：南京邮电大学 咨询
价格：面议晕掺杂的双材料异质栅石墨烯条带场效应管

技术类型：发明专利 成熟度：正在研发 转让方式：完全转让,许可转让,技术入股 江苏南京市发布人：南京邮电大学 咨询
价格：面议一种高压LDMOS器件

技术类型：发明专利 成熟度：正在研发 转让方式：完全转让,许可转让,技术入股 江苏南京市发布人：南京邮电大学 咨询
价格：面议一种双材料欠叠异质栅结构的碳纳米管场效应管

技术类型：发明专利 成熟度：正在研发 转让方式：完全转让,许可转让,技术入股 江苏南京市发布人：南京邮电大学 咨询
价格：面议一种双层部分SOILIGBT器件及其制造方法

技术类型：发明专利 成熟度：正在研发 转让方式：完全转让,许可转让,技术入股 江苏南京市发布人：南京邮电大学 咨询
价格：面议一种介质隔离与结隔离相结合的LIGBT器件

技术类型：实用新型专利 成熟度：正在研发 转让方式：完全转让,许可转让,技术入股 江苏南京市发布人：南京邮电大学 咨询
价格：面议一种介质隔离与结隔离相结合的LIGBT器件及制作方法

技术类型：发明专利 成熟度：正在研发 转让方式：完全转让,许可转让,技术入股 江苏南京市发布人：南京邮电大学 咨询
价格：面议一种阳极抬高的LIGBT器件

技术类型：实用新型专利 成熟度：正在研发 转让方式：完全转让,许可转让,技术入股 江苏南京市发布人：南京邮电大学 咨询

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