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目前直拉单晶石英坩埚原材料是石英砂，选用高纯原料，但是石英砂中还是含有微量的金属和羟基，在高温下会诱导石英坩埚气泡扩散形成方石英（杂质），进一步造成拉晶断棱，影响单晶硅生产效率。我们希望有技术能抑制气泡的生长，或者可以抑制气泡扩散到熔硅内。
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