技术简介: 本发明公开了一种“四步式”大比例尺定位探测深部热液矿床或矿体的找矿方法。通过矿床成矿规律研究、成矿构造精细解析、蚀变岩相填图与构造地球化学精细勘查、地球物理深部探测及隐伏矿定位预测…… 查看详细 >
技术简介: 本发明涉及一种考生信息自动检测装置及方法,属于自动检测技术领域。本发明包括考生信息采集模块、服务器、考生考场信息验证模块、考生座位信息验证模块;考生信息采集模块、考生考场信息验证模…… 查看详细 >
技术简介: 本发明涉及一种以泥磷制取纯磷的方法,属于固体废弃物再利用技术领域。本发明以泥磷水碱的摩尔比按1(100‑130)(2.8‑5.4)混合,进行加热搅拌反应,产生的气体经氮气载气进入催化固定床,在F…… 查看详细 >
技术简介: 本发明涉及一种纳米羟基磷灰石/氧化石墨烯复合材料的制备方法;主要用于骨修复或者牙科修复材料,属于生物医用材料领域;其特征在于所述的复合材料是以钙离子浓度为0.038~0.075mol/L和磷酸根离…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种用改性纤维素负载SalenMX制备催化剂的方法;该方法将纤维素6号位的‑OH取代为‑Cl,2,3号位上的‑OH活性较低,不会被取代,然后加入乙二胺或多烯多胺类化合物在80~100℃下反应…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开一种玉米秸穰半纤维素基疏水温敏凝胶的制备方法,该方法将风干玉米秸秆去皮、研磨和筛分得到合格原料,采用碱协助热水抽提技术分离合格原料中的半纤维素,继而通过水溶液胶束聚合方法…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开一种基于能斯特效应和原子层热电堆的复合光热探测器,结构中包括单晶基片、原子层热电堆薄膜、铁磁性薄膜、吸收层、封装层、金属电极,单晶基片为c轴斜切的单晶基片,单晶基片的c轴斜…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开一种基于层状钴氧化物的低温测温元件,包括单晶基底、薄膜热敏元件、金属电极Ⅰ、金属电极Ⅱ、金属电极Ⅲ、金属电极Ⅳ、导线Ⅰ、导线Ⅱ,薄膜热敏元件在单晶基底上沿c轴外延生长,在…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种二氯(乙二胺)合钯的制备方法,将氯化钯溶于盐酸后置于反应瓶中,加热反应,缓慢加入乙二胺,反应完毕后,在冰水浴下冷却,过滤,洗涤,真空干燥即得。本发明一步合成,反应步…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了表面活性剂在降低土壤盐渍化中的应用及方法,具体步骤是将表面活性剂配制成溶液喷洒于土壤,或将表面活性剂与土壤直接混合。所述表面活性剂为非离子型表面活性剂、阴离子型表面活性…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开一种增大SYCO‑314薄膜激光感生电压的方法,属于功能薄膜材料领域,在Sr3YCo4O10.5+δ靶材中掺入Ca并通过脉冲激光沉积用Sr3‑xCaxYCo4O10.5+δ多晶靶材在c轴倾斜的单晶衬底上制备Sr3…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开一种钴掺杂钛酸锂纳米复合材料的制备方法,以锂的可溶性化合物和钛的可溶性化合物为锂源和钛源,添加可溶性钴盐和络合剂反应制备前驱体,在惰性气体保护下烧结得到钛酸锂复合材料;本…… 查看详细 >
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